Reformarán Ley Federal de Protección a la Propiedad Industrial para el registro de patentes, permitiendo que los semiconductores pasen rápidamente del diseño a la producción
La presidenta de México, Claudia Sheinbaum Pardo, anunció la creación del Centro Nacional de Diseño de Semiconductores “Kutsari”, un proyecto estratégico para posicionar al país como líder en innovación tecnológica. Científicos de instituciones públicas desarrollarán diseños patentables bajo estándares internacionales, gracias a modificaciones a la Ley Federal de Protección a la Propiedad Industrial (LFPPI).
El centro tendrá sedes en Puebla, Jalisco y Sonora, bajo la coordinación del INAOE y el CINVESTAV, con la participación de la UNAM y el IPN. Además, se implementará un Programa de Capacitación Acelerada para diseñadores de semiconductores y, hacia 2026, se evaluará un modelo de fabricación para establecer una planta en 2029.
Las reformas a la LFPPI agilizarán el registro de patentes, permitiendo que los semiconductores pasen rápidamente del diseño a la producción. Santiago Nieto Castillo, director del IMPI, explicó que se busca otorgar patentes provisionales y proteger la innovación mexicana ante posibles plagios.
Este proyecto forma parte del Plan México, el cual promueve la producción nacional con inversión privada y extranjera, consolidando a México como un actor clave en la industria global de semiconductores.
Con información de Gobierno Federal
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